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IRFP150N
3500
3000
V GS =
C iss =
C rss =
C oss =
0V,    f = 1MHz
C gs + C gd , C ds SHORTED
C gd
C ds + C gd
20
16
I D = 22A
V DS = 80V
V DS = 50V
V DS = 20V
2500
Ciss
2000
1500
1000
Coss
12
8
500
Crss
4
FOR TEST CIRCUIT
0
1
10
100
0
0
20
40
60
SEE FIGURE 13
80     100
120
1000
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 5. Typical Capacitance Vs.
Drain-to-Source Voltage
1000
Q G , Total Gate Charge (nC)
Fig 6. Typical Gate Charge Vs.
Gate-to-Source Voltage
OPERATION IN THIS AREA LIMITED
BY R DS(on)
100
10
1
100
10
10us
100us
1ms
T C = 25 C
0.1
V GS = 0 V
1
o
T J = 175 o C
Single Pulse
10ms
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1
10
100
1000
4
V SD ,Source-to-Drain Voltage (V)
Fig 7. Typical Source-Drain Diode
Forward Voltage
V DS , Drain-to-Source Voltage (V)
Fig 8. Maximum Safe Operating Area
www.irf.com
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